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磁控反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)精密化創(chuàng)新——Tateyama TEP-Xd桌上型等離子刻蝕設(shè)備

發(fā)布時(shí)間： 2026-02-02　　點(diǎn)擊次數(shù)： 37次

一、設(shè)備概述與技術(shù)定位

日本Tateyama Machine Co., Ltd.（立山機(jī)械工業(yè)）自1970年成立以來，長期專注于FA系統(tǒng)、精密機(jī)械及半導(dǎo)體制造設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn)

。其推出的TEP-Xd系列桌上型等離子刻蝕設(shè)備，作為實(shí)驗(yàn)室級(jí)磁控反應(yīng)離子刻蝕（Magnetron Reactive Ion Etching, RIE）系統(tǒng)的代表性產(chǎn)品，專為納米材料制備、微納加工及光電子器件研發(fā)而設(shè)計(jì)。

該設(shè)備采用緊湊型桌面式設(shè)計(jì)，在保證專業(yè)級(jí)刻蝕性能的同時(shí)，顯著降低了設(shè)備占地面積與運(yùn)行成本，適用于高校實(shí)驗(yàn)室、科研院所及企業(yè)研發(fā)中心的小批量、多品種精密加工需求。

二、核心技術(shù)原理與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

2.1 磁控反應(yīng)離子刻蝕（Magnetron RIE）技術(shù)

TEP-Xd采用磁控RIE技術(shù)路線，在傳統(tǒng)電容耦合等離子體（CCP）基礎(chǔ)上引入磁場(chǎng)約束機(jī)制

：

等離子體密度增強(qiáng)：通過磁控管在反應(yīng)腔室中產(chǎn)生磁場(chǎng)，使電子運(yùn)動(dòng)軌跡螺旋化，顯著增加電子與氣體分子的碰撞概率，提高等離子體密度（可達(dá)傳統(tǒng)RIE的10倍以上）
各向異性刻蝕控制：獨(dú)立調(diào)控離子能量與等離子體密度，實(shí)現(xiàn)垂直側(cè)壁的高精度圖形轉(zhuǎn)移
低壓高真空環(huán)境：支持高真空工藝條件，減少顆粒污染，提升刻蝕表面質(zhì)量

2.2 設(shè)備結(jié)構(gòu)特性

平行板電極設(shè)計(jì)：采用經(jīng)典平行板反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)，確保電場(chǎng)分布均勻性，避免"下切"現(xiàn)象（undercut）
氣體兼容性：支持Ar、O?、SF?等多種工藝氣體，可執(zhí)行物理濺射刻蝕（Ar等離子體）與化學(xué)反應(yīng)刻蝕（含氟/氧氣體）
緊湊型集成：集成真空系統(tǒng)、射頻電源（通常13.56 MHz）、水冷系統(tǒng)及真空計(jì)于一體，實(shí)現(xiàn)"即插即用"式操作

三、關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)與性能優(yōu)勢(shì)

技術(shù)參數(shù)	性能指標(biāo)	技術(shù)優(yōu)勢(shì)
設(shè)備形態(tài)	桌上型/桌面式	節(jié)省潔凈室空間，降低設(shè)施成本
刻蝕方式	磁控RIE（Reactive Ion Etching）	高刻蝕速率與優(yōu)異各向異性
等離子體源	射頻電容耦合（RF CCP）+ 磁控	高等離子體密度，低損傷加工
工藝氣體	Ar, O?, SF?, CF?等	兼容金屬/介質(zhì)/半導(dǎo)體材料
真空系統(tǒng)	高真空泵組配置	基底真空可達(dá)10?? Pa量級(jí)
樣品兼容性	支持硅片、玻璃、金屬薄膜等	適用于MEMS、光電子、納米材料

四、典型應(yīng)用領(lǐng)域

4.1 納米光子學(xué)與超表面制造

在超表面全息器件制備中，TEP-Xd用于金納米鰭陣列（Au nanofin array）的精密加工。通過Ar等離子體刻蝕去除Cr/Au犧牲層，保留精確設(shè)計(jì)的納米鰭結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)高效率等離激元光學(xué)響應(yīng)

。

4.2 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）加工

作為MEMS工藝線中的關(guān)鍵設(shè)備，TEP-Xd執(zhí)行：

SiO?絕緣層刻蝕：采用含氟氣體（如SF?）進(jìn)行各向異性刻蝕
金屬層圖形化：通過Ar物理濺射或化學(xué)反應(yīng)刻蝕Al、Mo、Cr等金屬薄膜
Bosch工藝輔助：與深硅刻蝕配合，實(shí)現(xiàn)高深寬比微結(jié)構(gòu)釋放

4.3 微流控與生物芯片

在微流控芯片制造中，設(shè)備可用于：

玻璃/PDMS基底表面活化處理
微通道精密圖形轉(zhuǎn)移
生物傳感器電極圖案化

五、技術(shù)性與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力

5.1 與同類設(shè)備對(duì)比優(yōu)勢(shì)

相較于傳統(tǒng)大型RIE系統(tǒng)（如Samco RIE-10NR）或其他桌面式設(shè)備（如SPI Plasma Prep X），TEP-Xd的核心競(jìng)爭(zhēng)力體現(xiàn)在：

磁控技術(shù)下放：將工業(yè)級(jí)磁控RIE技術(shù)集成至桌面平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)高刻蝕速率（>100 nm/min，視材料而定）與低表面損傷的平衡
工藝靈活性：支持從物理濺射到化學(xué)反應(yīng)的廣泛工藝窗口，覆蓋金屬（Au、Cr、Cu）、介質(zhì)（SiO?、SiN?）及半導(dǎo)體材料
學(xué)術(shù)友好性：設(shè)備操作界面簡(jiǎn)潔，維護(hù)成本低，非常適合學(xué)術(shù)研究機(jī)構(gòu)進(jìn)行前沿探索

5.2 產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用價(jià)值

在Tateyama公司的"Product Development Business"戰(zhàn)略中，TEP-Xd作為實(shí)驗(yàn)室級(jí)等離子系統(tǒng)的核心產(chǎn)品，與該公司的大氣壓等離子設(shè)備、金屬納米膠體等材料業(yè)務(wù)形成協(xié)同

，為客戶提供從材料制備到微納加工的一站式解決方案（One Stop Solution）。

六、結(jié)語

Tateyama TEP-Xd桌上型等離子刻蝕設(shè)備代表了實(shí)驗(yàn)室級(jí)微納加工設(shè)備向高性能、小型化方向發(fā)展的重要趨勢(shì)。通過磁控RIE技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用，該設(shè)備在超表面光學(xué)、MEMS、柔性電子等前沿研究領(lǐng)域展現(xiàn)出加工能力。隨著納米技術(shù)與量子器件研發(fā)的持續(xù)深入，TEP-Xd這類精密桌面型刻蝕設(shè)備將在材料科學(xué)與工程應(yīng)用的交叉領(lǐng)域發(fā)揮越來越關(guān)鍵的作用。

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